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IXFH20N100P
IXFT20N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
8
14
7300
S
pF
C oss
C rss
R Gi
t d(on)
t r
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate input resistance
Resistive Switching Times
456
55
1.20
40
37
pF
pF
Ω
ns
ns
e
?P
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 2 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
(TO-247)
56
45
126
50
55
0.21
ns
ns
nC
nC
nC
0.19 ° C /W
° C /W
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.177
.140 .144
0.232 0.252
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.170 .216
242 BSC
I S
V GS = 0V
20
A
I SM
V SD
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
80
1.5
A
V
TO-268 Outline
t rr
I F = 10A, -di/dt = 100A/ μ s
300 ns
Q RM
I RM
V R = 100V, V GS = 0V
0.9
9.0
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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